三星电子开发业界首个12层3DTSV芯片封装技术
先进半导体技术的全球领导者三星电子今天宣布，已开发出业界首个 12 层 3D-TSV(硅通孔)技术。
三星的新创新被认为是高性能芯片量产最具挑战性的封装技术之一，因为它需要精确的精度，通过超过 60,000 个 TSV 孔的三维配置垂直互连 12 个 DRAM 芯片，每个孔都是一个- 一根人类头发的二十分之一的粗细。
封装厚度(720㎛)与目前的8层高带宽内存2(HBM2)产品相同，这是组件设计的实质性进步。这将有助于客户发布具有更高性能容量的下一代大容量产品，而无需更改其系统配置设计。
此外，3D封装技术还具有比现有引线键合技术更短的芯片间数据传输时间，从而显着提高速度和降低功耗。
“随着人工智能 (AI) 和高功率计算 (HPC) 等各种新时代应用的出现，保护超高性能内存所有复杂性的封装技术变得非常重要，”Hong-Joo Baek 说，三星电子 TSP(测试与系统封装)执行副总裁。
“随着摩尔定律缩放达到极限，3D-TSV 技术的作用预计将变得更加重要。我们希望站在这种最先进的芯片封装技术的最前沿。”
凭借其 12 层 3D-TSV 技术，三星将为数据密集型和极高速应用提供最高的 DRAM 性能。
此外，通过将堆叠层数从 8 层增加到 12 层，三星将很快能够量产 24 GB*高带宽内存，其容量是当今市场上 8GB 高带宽内存的三倍。
三星将能够凭借其尖端的 12 层 3D TSV 技术满足快速增长的市场对高容量 HBM 解决方案的需求，并希望巩固其在高端半导体市场的领导地位。
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