三星为高端内存应用开发业界首款第三代10纳米级DRAM
先进内存技术的全球领导者三星电子今天宣布，它已在全球范围内首次开发出第三代 10 纳米级 (1z-nm) 8 吉比特 (Gb) 双倍数据速率 4 (DDR4) DRAM。行业。在开始量产第二代 10 纳米级 (1y-nm) 8Gb DDR4 后仅 16 个月，在不使用极紫外 (EUV) 处理的情况下开发 1z-nm 8Gb DDR4 已经突破了 DRAM 缩放的极限更深入。
随着 1z-nm 成为业界最小的内存工艺节点，三星现在已经准备好通过其新的 DDR4 DRAM 来应对不断增长的市场需求，与之前的 1y-nm 版本相比，其制造生产率提高了 20% 以上。
1z-nm 8Gb DDR4 将于今年下半年开始量产，以适应预计将于 2020 年推出的下一代企业服务器和高端 PC。
“我们致力于突破技术领域的最大挑战，这一直驱使我们走向更大的创新。三星电子 DRAM 产品与技术执行副总裁 Jung-bae Lee 表示：“我们很高兴再次为稳定生产下一代 DRAM 奠定基础，确保最高的性能和能效。” “随着我们构建 1z-nm DRAM 产品线，三星的目标是支持其全球客户部署尖端系统并促进高端内存市场的发展。”
三星开发的 1z-nm DRAM 为全球 IT 加速过渡到下一代 DRAM 接口(如 DDR5、LPDDR5 和 GDDR6)铺平了道路，这将为未来的数字创新浪潮提供动力。后续具有更高容量和性能的 1z-nm 产品将使三星能够加强其业务竞争力，并巩固其在包括服务器、图形和移动设备在内的应用的优质 DRAM 市场中的领导地位。
在与 CPU 制造商对 8 GB DDR4 模块进行全面验证后，三星将积极与全球客户合作，提供一系列即将推出的内存解决方案。
根据当前的行业需求，三星计划增加其平泽基地的主存储器生产部分，同时与其全球 IT 客户合作，以满足对最先进 DRAM 产品不断增长的需求。
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