作为NAND闪存控制器集成电路和存储解决方案的全球领导者，Phison Electronics Corp今天宣布将其PS5018-E18 PCIe Gen4控制器交付给具有新型176层替换门NAND的制造商合作伙伴。

与176层配对的新型E18填补了Phison产品堆栈中至关重要的角色，是迄今为止性能最高的E18。强大的组合可提供高达7,400 MB / s的顺序读取和7,000 MB / s的顺序写入。

最大的收益来自随机读取延迟，其中新的高级层在低队列深度下显示出比以前的模型高35%的性能，从而改善了用户在系统响应速度方面的体验。新型E18提供同类产品中所有消费类SSD最佳的游戏加载时间。

“我们与技术合作伙伴紧密合作，提供了优质产品来支配游戏载入时间。E18与业界领先的176层介质相结合，可最大化PCIe Gen4总线，提供您在用户体验中感受到的超强性能。” Phison Electronics US总裁兼总经理Michael Wu说道。

176层替换门架构NAND将电荷陷阱与CMOS阵列下设计(CuA)结合在一起。与上一代96层NAND相比，该闪存的裸片尺寸约小30%，读写性能提高35%。

今天，来自著名第三方测试站点的审阅者将释放PS5018-E18的全部性能，以及领先的NAND制造商的176层存储器，这些存储器利用1600MT / s的总线创造了新的性能世界纪录。

Phison使用专有的CoXProcessor 2.0技术在高效的TSMC 12 nm工艺节点上设计了E18。这为SSD制造商提供了最先进的控制器解决方案，以构建高度优化的产品。E18承诺提供1600MT / s的媒体总线，从而为高性能台式机和新推出的PCIe Gen4笔记本电脑提供最佳的用户体验。

不论平台如何，寻求最高性能的要求苛刻的用户都可以将其与176层内存搭配的新型Phison E18一起找到。

Phison将在Computex虚拟贸易展览会上展示其基于E18的新产品，预计42,000名与会者将在2021年6月1日至6月5日举行。